Трансформ TP65H050G4BS
650 В 34 А ГАН ФЕТ
- Производитель: Трансформировать
- Номер производителя: Трансформ TP65H050G4BS
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 425
- Артикул: ТП65Х050Г4БС
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Трансформировать |
| Ряд | СуперГаН® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 34А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 60 мОм при 22 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,8 В @ 700 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1000 пФ при 400 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 119 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-263 |
| Пакет/ключи | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ |
| Базовый номер продукта | ТП65Х050 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1707-TP65H050G4BS |
| Стандартный пакет | 50 |
Н-канал 650 В 34 А (Tc) 119 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740