Трансформ TP65H050G4WS

650 В 34 А ГАН ФЕТ

Производитель: Трансформировать
Номер производителя: Трансформ TP65H050G4WS
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 469
Артикул: TP65H050G4WS
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $15.0700

Дополнительная цена:$15.0700

Подробности

Параметры
Производитель	Трансформировать
Ряд	СуперГаН®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	34А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	60 мОм при 22 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4,8 В @ 700 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	24 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1000 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	119 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	ТП65Х050
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1707-TP65H050G4WS
Стандартный пакет	30

Н-канал 650 В 34 А (Тс) 119 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247-3