Transphorm TP65H070LDG-TR - Transphorm FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Трансформ TP65H070LDG-TR

650 В 25 А ГАН ФЕТ

  • Производитель: Трансформировать
  • Номер производителя: Трансформ TP65H070LDG-TR
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: TP65H070LDG-TR
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $13.1200

Дополнительная цена:$13.1200

Подробности

Теги

Параметры
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 500
Производитель Трансформировать
Ряд ТП65Х070Л
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 85 мОм при 16 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,8 В @ 700 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9,3 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 96 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 3-PQFN (8x8)
Пакет/ключи 3-PowerDFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
N-канал 650 В 25 А (Tc) 96 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 3-PQFN (8x8)