Transphorm TP65H150G4LSG — полевые транзисторы Transphorm, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Трансформ TP65H150G4LSG

ТП65Х150Г4ЛСГ

  • Производитель: Трансформировать
  • Номер производителя: Трансформ TP65H150G4LSG
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3532
  • Артикул: ТП65Х150Г4ЛСГ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.0100

Дополнительная цена:$5.0100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Трансформировать
Ряд -
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 180 мОм при 8,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,8 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 598 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 52 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 2-PQFN (8x8)
Пакет/ключи 2-PowerTSFN
Базовый номер продукта ТП65Х150
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 60
N-канал 650 В 13 А (Tc) 52 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 2-PQFN (8x8)