Transphorm TP65H300G4LSG-TR - Transphorm FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Трансформ TP65H300G4LSG-TR

TP65H300G4LSG-TR

  • Производитель: Трансформировать
  • Номер производителя: Трансформ TP65H300G4LSG-TR
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: TP65H300G4LSG-TR
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.8000

Дополнительная цена:$4.8000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Трансформировать
Ряд -
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 312 мОм при 5 А, 8 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,6 В при 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9,6 НК при 8 В
ВГС (Макс) ±18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 760 пФ при 400 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 21 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 3-PQFN (8x8)
Пакет/ключи 3-PowerDFN
Базовый номер продукта ТП65Х300
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 650 В 6,5 А (Tc) 21 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 3-PQFN (8x8)