| Параметры |
| Производитель | Трансформировать |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 3,6 А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 8В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 560 мОм при 3,4 А, 8 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,8 В @ 500 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9 нк @ 8 В |
| ВГС (Макс) | ±18 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 760 пФ при 400 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 13,2 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 3-PQFN (5x6) |
| Пакет/ключи | 3-СМД, плоский вывод |
| Базовый номер продукта | ТП65Х480 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 1707-TP65H480G4JSG-ТР |
| Стандартный пакет | 4000 |
N-канал 650 В 3,6 А (Tc) 13,2 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 3-PQFN (5x6)