Transphorm TPH3206LSGB — полевые транзисторы Transphorm, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Трансформ TPH3206LSGB

TPH3206LSGB

  • Производитель: Трансформировать
  • Номер производителя: Трансформ TPH3206LSGB
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2330
  • Артикул: TPH3206LSGB
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Трансформировать
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология GaNFET (нитрид галлия)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 180 мОм при 10 А, 8 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,6 В @ 500 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,2 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 720 пФ при 480 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 81 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 3-PQFN (8x8)
Пакет/ключи 3-PowerDFN
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1707-TPH3206LSGB
Стандартный пакет 1
N-канал 650 В 16 А (Tc) 81 Вт (Tc) для поверхностного монтажа 3-PQFN (8x8)