NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3
A2T18S261W12NR3
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 5337
- Sku: A2T18S261W12NR3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 1 805 ~ 1,88 гг. |
| Прирост | 18.2db |
| В конце | 28 |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 1,5 а |
| Питани - В.О. | 280 Вт |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | OM-880X-2L2L |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-880X-2L2L |
| Baзowый nomer prodikta | A2T18 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 935338749528 |
| Станодар | 250 |
RF MOSFET 28 V 1,5 A 1 805 ГГА ~ 1,88 ГОГ 18,2DB 280W OM-880X-2L2L
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740