TTC5200 (Q)

Npn 150 ° C TJ 5 мк icbo 1 эlementы to-3pl лоток

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: TTC5200 (Q)
Епаково: To-3pl
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 9323
Sku: 2541-TTC5200 (Q)
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

Парметр
ЧastoTA	30 мг
Колист	1
Коунфигуразия	Одинокий
R.	150 Вт
Poluhith	30 мг
Это	Npn
NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo)	230
МАККСКОЛЕРНА	15A
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	80 @ 1a 5v
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	5 МКА ICBO
Vce saturation (max) @ ib, ic	3v @ 800ma, 8a
Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles	230
Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	3В
В конце концов	230
Napraheneee boshovowowogogolyheenhynaipe (Vebo)	5в
Hfe Min	80
Вес	26 ММ
Делина	20,5 мм
Шyrina	5,2 мм
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
СОУДНО ПРИОН	СОУДНО ПРИОН
Верна -	12
Управый	Чereз dыru
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	To-3pl
Колист	3
Rraboч -yemperatura	150 ° C TJ
Упако	Поднос
Опуликовано	2009
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
МАКСИМАЛЕВАЯ	150 Вт

Охер TTC5200 (Q)

Пройка, ведущая, а -айока -айот. ucioleneerepocasto -aonannogogoca -sostavolet 80 @ 1a 5v.singl bjt transistor и -коль. Гибко -ебко -мульт 800 май, 8a.single bjt transistor voзmoжna dlostiжeninaina -yvosogogogogohogoho -oryrha -nawrierhe -stra -stra -stra -stra -ne -stra -stra Bjt primakcimalnoй rabote pri 5-.

Фуанкшии ttc5200 (q)

Ucioleniepocaposto daannonnogogo -toca -dlocto -oyproйstva coStaout 80 @ 1a 5v
Напряжение насыщения излучателя коллекционера 3V
Начало vce (mmaks) costavolet 3 @ 800 май, 8a
Napraheneee boshowogogogogogo эmityran