Технология микрочипа APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT15GP60BDQ1G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 100
Артикул: APT15GP60BDQ1G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.4000

Дополнительная цена:$5.4000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	56 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	65 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,7 В @ 15 В, 15 А
Мощность - Макс.	250 Вт
Переключение энергии	130 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	55 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	8 нс/29 нс
Условия испытаний	400В, 15А, 5Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247 [Б]
Базовый номер продукта	АПТ15ГП60
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

IGBT PT 600 В 56 А 250 Вт сквозное отверстие ТО-247 [Б]