Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 230 мг |
Прирост | 25 дБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 100 май |
Питани - В.О. | 600 Вт |
Napraheneee - оинка | 130 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | NI-1230-4S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4S |
Baзowый nomer prodikta | MRFE6 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935319677178 |
Станодадж | 50 |
RF MOSFET 50 В 100 мам 230 мг 25 дБ 600 Вт NI-1230-4S