IXYS IXFN82N60Q3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFN82N60Q3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6038
  • Артикул: IXFN82N60Q3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $60.1900

Дополнительная цена:$60.1900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, класс Q3
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 66А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 75 мОм при 41 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 6,5 В @ 8 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 275 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 13500 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 960 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Поставщик пакета оборудования СОТ-227Б
Пакет/ключи СОТ-227-4, миниБЛОК
Базовый номер продукта IXFN82
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 10
N-канальный 600 В 66 А (Tc) 960 Вт (Tc) Крепление на раму SOT-227B