_Bottom.jpg "Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1FGHM3/I")
Вишай генерал полупроводник - Дивиод дивигииир1fghm3/i
Diode Avalanche 400V 1A DO219AB
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Вишай генерал полупроводник - Дивиод дивигииир1fghm3/i
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3099
- Sku: Ar1fghm3/i
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Лавина |
| На | 400 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 1A |
| На | 1,25 - @ 1 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 140 м |
| Ток - Обратна тебе | 1 мка 400 |
| Emcostath @ vr, f | 12.6pf @ 4V, 1 мгновение |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | DO-219AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-219AB (SMF) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-ar1fghm3/itr |
| Станодар | 10000 |
Диди 400 -