_Bottom.jpg "Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1FJ-M3/I")
Vishay General Semiconductor - Diviodы as1fj -m3/i
Diode Aval 600V 1.5A DO219AB
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diviodы as1fj -m3/i
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1143
- Sku: AS1FJ-M3/I.
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Лавина |
| На | 600 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 1,5а |
| На | 1,15 Е @ 1,5 А. |
| Скороп | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 1,3 мкс |
| Ток - Обратна тебе | 5 мк. |
| Emcostath @ vr, f | 8,8pf @ 4V, 1 мгха |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | DO-219AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-219AB (SMF) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-AS1FJ-M3/ITR |
| Станодар | 10000 |
Диди 600 В 1,5а