| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| Дип | ОДИНАНАНА |
| Тела | Станода |
| Napraheneee - пик в | 200 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 4 а |
| На | 1 V @ 4 A |
| Ток - Обратна тебе | 5 мка При 200 |
| Raboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 4-SIP, GBL |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Герб |
| Baзowый nomer prodikta | GBLA02 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-GBLA02-M3/51 |
| Станодар | 400 |
МОСТВОВА