_Bottom.jpg "Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSE1PJ-M3/I")
Вишай генерал полупроводник - Дивиод дивигии mse1pj -m3/i
Diode Gen Purp 600V 1a Microsmp
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Вишай генерал полупроводник - Дивиод дивигии mse1pj -m3/i
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya spehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2516
- Sku: Mse1pj-m3/i
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Станода |
| На | 600 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 1A |
| На | 1.1 V @ 1 a |
| Скороп | Станодановоэнановол> 500NS,> 200 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 780 м |
| Ток - Обратна тебе | 1 мка При 600 |
| Emcostath @ vr, f | 5pf @ 4V, 1 мгест |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | Microsmp |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Microsmp (do-219AD) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-MSE1PJ-M3/ITR |
| Станодар | 16 000 |
Диди 600 В 1а