Vishay General Semiconductor - Diviodы Ugb10fcththe3_a/i
10A, 300V, 35NS, Dual UF Rect
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diviodы Ugb10fcththe3_a/i
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3617
- Sku: Ugb10fcthe3_a/i
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| Коунфигурахия | 1 пар |
| Тела | Станодаж |
| На | 300 |
| Ток - Средниги ипра. | 5A |
| На | 1.3 V @ 5 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 50 млн |
| Ток - Обратна тебе | 10 мк @ 300 |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -40 ° С ~ 150 ° С. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-263AB |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-UGB10FCTHTHTHTHTHTE3_A/ITR |
| Станодадж | 800 |
Диднаяма МАССИВА 1 ПАРА ОБИБА