_Bottom.jpg "Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1F22-M3/I")
Vishay General Semiconductor - Diviodы v1f22 -m3/i
Диди шoTtkI 200v 1a do219ab
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diviodы v1f22 -m3/i
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2232
- Sku: V1f22-m3/i
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | ШOTKIй |
| На | 200 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 1A |
| На | 880mw @ 1 a |
| Скороп | БЕЗОН ВОССАНАНОВАНЕЕ = <500NS,> 200 май (IO) |
| Ток - Обратна тебе | 35 мк -при. |
| Emcostath @ vr, f | 75pf @ 4v, 1 мгха |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | DO-219AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DO-219AB (SMF) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -40 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-V1F22-M3/ITR |
| Станодар | 10000 |
DIOD 200- 1APORхNOSTNONONOE Креплеин DO-219AB (SMF)