Vishay General Semiconductor-Division VS-3C08ET07T-M3
650 -Power SIC Gen 3 ObъeDeNeNennnый Pin -Код
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor-Division VS-3C08ET07T-M3
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1
- Sku: VS-3C08ET07T-M3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 650 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 8. |
| На | 1,5 @ 8 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 45 мк -пр. 650 |
| Emcostath @ vr, f | 340pf @ 1V, 1 мгха |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | ДО-220-2 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | ДО-220AC |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-VS-3C08ET07T-M3 |
| Станодадж | 50 |
DIOD 650 - 8.