_Bottom.jpg "Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C12ET07S2L-M3")
Vishay General Semiconductor-Divise Division VS-3C12ET07S2L-M3
650 -Power SIC Gen 3 ObъeDeNeNennnый Pin -Код
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor-Divise Division VS-3C12ET07S2L-M3
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1
- Sku: VS-3C12ET07S2L-M3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Sic (kremniewый karbid) |
| На | 650 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 12A |
| На | 1,5 w @ 12 a |
| Скороп | Верниони -весановейн> 500 май (io) |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 0 м |
| Ток - Обратна тебе | 65 мка @ 650 |
| Emcostath @ vr, f | 535pf @ 1V, 1 мгновение |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-263AB (D²PAK) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Baзowый nomer prodikta | VS-3C12 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Станодадж | 800 |
DIOD 650-12A-orхnoStnoe kreplepleneee-do-263ab (d²pak)