Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-40MT120PHAPBF

MTP – ПОЛУМОСТОВОЙ IGBT

Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-40MT120PHAPBF
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 104
Артикул: ВС-40МТ120ФАПБФ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $63,7700

Дополнительная цена:$63,7700

Подробности

Параметры
Мощность - Макс.	305 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,65 В @ 15 В, 40 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	50 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	3,2 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Нет
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	Модуль 12-MTP
Поставщик пакета оборудования	12-МТП
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	112-ВС-40МТ120ФАПБФ
Стандартный пакет	15
Производитель	Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Конфигурация	Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	75 А

Модуль IGBT Trench Field Stop Полумост 1200 В 75 А 305 Вт Сквозное отверстие 12-MTP