Генеральный полупроводник Вишай - Дивиод дивиод против -40mt120phapbf
MTP - Half Bridge IGBT
- Проиджодел: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Генеральный полупроводник Вишай - Дивиод дивиод против -40mt120phapbf
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 104
- Sku: VS-40MT120PHAPBF
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Синла - МАКС | 305 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,65 -прри 15-, 40A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 50 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 3,2 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 12-MeTrowый модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 12-METROWый |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-VS-40MT120PHAPBF |
| Станодадж | 15 |
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 75 а |
Модулмомол Игбт-Степопханано-пиаловинамос 1200-75 А 305.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F