_Bottom.jpg "Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETL06S2LHM3")
Vishay General Semiconductor -Division против -8etl06s2lhm3
Diode Gen Purp 600V 8a odo 263ab
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor -Division против -8etl06s2lhm3
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6952
- Sku: VS-8etl06s2lhm3
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | Станода |
| На | 600 |
| Ток - Среднигиисправейни (io) | 8. |
| На | 1,05 В @ 8 a |
| Скороп | Nebolshoй stygnal = <200 май (io), llahning |
| ВОЗНАЯ ВОЗНА | 170 млн |
| Ток - Обратна тебе | 5 мк. |
| Emcostath @ vr, f | - |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-263AB (D²PAK) |
| Raboч -ytemperatura - soedineneeneeeeee | -55 ° C ~ 175 ° C. |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.10.0080 |
| Дрогин ИНЕНА | 112-vs-8etl06s2lhm3tr |
| Станодадж | 800 |
Диди 600 В 8.