Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100TS065N

МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT

Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100TS065N
Упаковка: Коробка
Техническая спецификация:-
Запас: 2366
Артикул: ВС-ГТ100ТС065Н
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $74.1100

Дополнительная цена:$74.1100

Подробности

Параметры
Мощность - Макс.	259 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,3 В при 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	50 мкА
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Нет
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	ИНТ-А-ПАК БТИЗ
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Другие имена	112-ВС-ГТ100ТС065Н
Стандартный пакет	15
Производитель	Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд	-
Упаковка	Коробка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Конфигурация	Полумостовой инвертор
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	96 А

Модуль IGBT Trench Field Stop Полумостовой инвертор 650 В, 96 А, 259 Вт, монтаж на шасси INT-A-PAK IGBT