Vishay General Semiconductor — подразделение диодов VS-GT100TS065S — Vishay General Semiconductor — подразделение диодов IGBT — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100TS065S

МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT

  • Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
  • Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT100TS065S
  • Упаковка: Коробка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 9922
  • Артикул: ВС-GT100TS065S
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $85.9800

Дополнительная цена:$85.9800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
Ряд ФРЕД Пт®
Упаковка Коробка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Тренч
Конфигурация Полумостовой инвертор
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 247 А
Мощность - Макс. 517 Вт
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Другие имена 112-ВС-ГТ100ТС065С
Стандартный пакет 15
Модуль IGBT Полумостовой инвертор, 650 В, 247 А, 517 Вт, монтаж на шасси INT-A-PAK IGBT