Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT200TS065S
МОДУЛИ IGBT - IAP IGBT
- Производитель: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов
- Номер производителя: Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов VS-GT200TS065S
- Упаковка: Коробка
- Техническая спецификация:-
- Запас: 4610
- Артикул: ВС-ГТ200ТС065С
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Vishay General Semiconductor - Подразделение диодов |
| Ряд | ФРЕД Пт® |
| Упаковка | Коробка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | Тренч |
| Конфигурация | Полумостовой инвертор |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 650 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 476 А |
| Мощность - Макс. | 1 кВт |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 200 мкА |
| Вход | Стандартный |
| НТЦ Термистор | Нет |
| Рабочая температура | -40°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление на шасси |
| Пакет/ключи | Модуль |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Другие имена | 112-ВС-ГТ200ТС065С |
| Стандартный пакет | 15 |
Модуль IGBT Полумостовой инвертор для установки в паз 650 В 476 А 1 кВт Монтаж на шасси INT-A-PAK IGBT
Больше продуктов
- Инфинеон Технологии IRGPC40UD2
- Инфинеон Технологии IRGBC30UD2
- Инфинеон Технологии IRGBC20FD2
- Инфинеон Технолоджис IRGPF50F
- Инфинеон Технологии IRGPC50F
- Инфинеон Технологии IRGBC40S
- Инфинеон Технологии IRGBC30S
- Инфинеон Технолоджис IRGPC50UD2
- Инфинеон Технолоджис IRGPC50FD2
- Инфинеон Технологии IRGPC40FD2
- Инфинеон Технологии IRGPC30FD2
- Инфинеон Технологии IRGBC20UD2
- Инфинеон Технологии IRGBC30FD2
- Инфинеон Технологии IRGPH50F
- Инфинеон Технолоджис IRGPH40F