Vishay General Semiconductor - Diviod Diodы protiv gt75la60uf
Модули Igbt - SOT -227 IGBT
- Проиджоделх: Generalnыйpoluprovowodonik Vishay
- NoMerPOIзVODITELEL: Vishay General Semiconductor - Diviod Diodы protiv gt75la60uf
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 4015
- Sku: VS-GT75LA60UF
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Манера | Generalnыйpoluprovowodonik Vishay |
| В припании | FERED PT® |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Одинофан |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 600 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 81 а |
| Синла - МАКС | 231 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.26V @ 15V, 70A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 100 мк |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | SOT-227-4, Minibloc |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-227 |
| Baзowый nomer prodikta | GT75 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Дрогин ИНЕНА | 112-VS-GT75LA60UF |
| Станодар | 1 |
Модуль Маудул Igbt-stop odinokyй чopper 600 В 81 а 231.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F