Vishay Siliconix SI1469DH-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SI1469DH-T1-BE3

МОП-транзистор P-CH 20 В 3,2 А/2,7 А SC70-6

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SI1469DH-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: SI1469DH-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6100

Дополнительная цена:$0,6100

Подробности

Теги

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,5 Вт (Та), 2,78 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СК-70-6
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Базовый номер продукта СИ1469
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,2 А (Та), 2,7 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 80 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8,5 нк при 4,5 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 470 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
П-канал 20 В 3,2 А (Ta), 2,7 А (Tc) 1,5 Вт (Ta), 2,78 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа SC-70-6