Vishay Силиконикс SI1965DH-T1-BE3

МОП-транзистор 2П-СН 12 В 1,3 А SC70-6

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Силиконикс SI1965DH-T1-BE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1056
Артикул: SI1965DH-T1-BE3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5100

Дополнительная цена:$0,5100

Подробности

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	4,2 НК при 8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	120пФ при 6В
Мощность - Макс.	740 мВт (Ta), 1,25 Вт (Tc)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования	СК-70-6
Базовый номер продукта	СИ1965
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	ТренчFET®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	2 P-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	1,14 А (Та), 1,3 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	390 мОм при 1 А, 4,5 В

Массив МОП-транзисторов 12 В 1,14 А (Ta), 1,3 А (Tc) 740 мВт (Ta), 1,25 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа SC-70-6