Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-BE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 40-В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: SI2318CDS-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5000

Дополнительная цена:$0,5000

Подробности

Теги

Параметры
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 340 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,25 (Та), 2,1 Вт (Тс) Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3 (ТО-236)
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SI2318CDS-T1-BE3TR
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,3 А (Та), 5,6 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 42 мОм при 4,3 А, 10 В
N-канал 40 В 4,3 А (Та), 5,6 А (Тс) 1,25 Вт (Та), 2,1 Вт (Тс) Для поверхностного монтажа СОТ-23-3 (ТО-236)