Vishay Siliconix SI2367DS-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SI2367DS-T1-BE3

П-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 20-В (ДС)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SI2367DS-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4527
  • Артикул: SI2367DS-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4100

Дополнительная цена:$0,4100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,8 А (Та), 3,8 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 66 мОм при 2,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 23 НК при 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 561 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 960 мВт (Ta), 1,7 Вт (Tc)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3 (ТО-236)
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 742-SI2367DS-T1-BE3TR
Стандартный пакет 3000
П-канал 20 В 2,8 А (Та), 3,8 А (Тс) 960 мВт (Та), 1,7 Вт (Тс) Для поверхностного монтажа СОТ-23-3 (ТО-236)