Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3

Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3

П-КАНАЛ -80В СОТ-23, 164 М@1

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: SI2387DS-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $0,5000

Дополнительная цена:$0,5000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2,1 А (Та), 3 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 164 мОм при 2,1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10,2 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 395 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,3 Вт (Та), 2,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3 (ТО-236)
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SI2387DS-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
П-канал 80 В 2,1 А (Та), 3 А (Тс) 1,3 Вт (Та), 2,5 Вт (Тс) Для поверхностного монтажа СОТ-23-3 (ТО-236)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.