Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3

П-КАНАЛЬНЫЙ 80 В (ДС) МОП-транзистор ТСОП

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6042
  • Артикул: SI3129DV-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,6800

Дополнительная цена:$0,6800

Подробности

Теги

Параметры
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3,8 А (Та), 5,4 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 82,7 мОм при 3,8 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 805 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2 Вт (Та), 4,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Пакет/ключи СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SI3129DV-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
П-канал 80 В 3,8 А (Ta), 5,4 А (Tc) 2 Вт (Ta), 4,2 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 6-TSOP