Vishay Siliconix SI3460DDV-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI3460DDV-T1-BE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 20 В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI3460DDV-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8447
  • Артикул: SI3460DDV-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4400

Дополнительная цена:$0,4400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,2 А (Та), 7,9 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 28 мОм при 5,1 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18 НК @ 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 666 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,7 Вт (Та), 2,7 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Пакет/ключи СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SI3460DDV-T1-BE3CT
Стандартный пакет 3000
N-канал 20 В 6,2 А (Ta), 7,9 А (Tc) 1,7 Вт (Ta), 2,7 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 6-TSOP