Vishay Siliconix SI3499DV-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SI3499DV-T1-BE3

П-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 1,5 В (GS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SI3499DV-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: SI3499DV-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 8 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5,3 А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,5 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 23 мОм при 7 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 750 мВ при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±5 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,1 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Пакет/ключи СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SI3499DV-T1-BE3TR
Стандартный пакет 3000
П-канал 8 В 5,3 А (Та) 1,1 Вт (Та) для поверхностного монтажа 6-ТСОП