Vishay Siliconix SI4090BDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI4090BDY-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 100-В (ДС) МОП-транзистор СО-

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI4090BDY-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: SI4090BDY-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,4900

Дополнительная цена:$1,4900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12,2 А (Та), 18,7 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм при 12,2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3570 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,1 Вт (Та), 7,4 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 100 В 12,2 А (Ta), 18,7 А (Tc) 3,1 Вт (Ta), 7,4 Вт (Tc) Поверхностный монтаж 8-SOIC