| Параметры |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | ТренчFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12,2 А (Та), 18,7 А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 6В, 10В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 10 мОм при 12,2 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 70 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3570 пФ при 50 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3,1 Вт (Та), 7,4 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2500 |
N-канал 100 В 12,2 А (Ta), 18,7 А (Tc) 3,1 Вт (Ta), 7,4 Вт (Tc) Поверхностный монтаж 8-SOIC