Vishay Siliconix SI4153DY-T1-GE3

П-КАНАЛЬНЫЙ 30-В (ДС) МОП-транзистор СО-8

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SI4153DY-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4
Артикул: SI4153DY-T1-GE3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7100

Дополнительная цена:$0,7100

Подробности

Параметры
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3600 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3,1 Вт (Та), 5,6 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-СОИК
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	742-SI4153DY-T1-GE3DKR
Стандартный пакет	2500
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	TrenchFET® Gen III
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	14,3А (Та), 19,3А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	93 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±25 В

P-канал 30 В 14,3 А (Ta), 19,3 А (Tc) 3,1 Вт (Ta), 5,6 Вт (Tc) Поверхностный монтаж 8-SOIC

Vishay Siliconix SI4153DY-T1-GE3

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ