Vishay Siliconix SI4155DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI4155DY-T1-GE3

П-КАНАЛЬНЫЙ 30-В (ДС) МОП-транзистор СО-8

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI4155DY-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: SI4155DY-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8100

Дополнительная цена:$0,8100

Подробности

Теги

Параметры
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10,2 А (Та), 13,6 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 15 мОм при 7 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1870 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Та), 4,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта СИ4155
Статус RoHS Соответствует ROHS3
P-канал 30 В 10,2 А (Ta), 13,6 А (Tc) 2,5 Вт (Ta), 4,5 Вт (Tc) Поверхностный монтаж 8-SOIC