Vishay Siliconix SI4190BDY-T1-GE3

N-kanol 100 v (ds) mosfet so-

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI4190BDY-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 8997
Sku: SI4190BDY-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.1600

Эkst цena:$2.1600

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	12a (ta), 17a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	9.3mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	95 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	4150 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	3,8 Вт (ТА), 8,4 th (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8 лейт
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм)
Baзowый nomer prodikta	SI4190
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2500

N-kanal 100- 12a (ta), 17a (tc) 3,8 st (ta), 8,4 vt (tc) powrхnoSTNO