Vishay Siliconix SI4190BDY-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 100 В (DS) СО-

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SI4190BDY-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8997
Артикул: SI4190BDY-T1-GE3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.1600

Дополнительная цена:$2.1600

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	ТренчFET®
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	12А (Та), 17А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,3 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	95 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	4150 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3,8 Вт (Та), 8,4 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	8-СОИК
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта	СИ4190
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	2500

N-канал 100 В 12 А (Та), 17 А (Тс) 3,8 Вт (Та), 8,4 Вт (Тс) Поверхностный монтаж 8-SOIC

Vishay Siliconix SI4190BDY-T1-GE3

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ