Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3

П-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 12 В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: SI6423DQ-T1-BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7700

Дополнительная цена:$1,7700

Подробности

Теги

Параметры
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 110 НК при 5 В
ВГС (Макс) ±8 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1,05 Вт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-ЦСОП
Пакет/ключи 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8,2А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,5 мОм при 9,5 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 800 мВ при 400 мкА
П-канал 12 В 8,2 А (Та) 1,05 Вт (Та) для поверхностного монтажа 8-ТССОП