Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3

P-KANOL 12-V (DS) MOSFET

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-BE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2
Sku: SI6423DQ-T1-BE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.7700

Эkst цena:$1.7700

Подрэбной

Парметр
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	110 NC @ 5 V
Vgs (mmaks)	± 8 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,05.
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-tssop
PakeT / KORPUES	8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм)
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодар	3000
Млн	Виаликоеникс
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	12
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	8.2a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,8 В, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	8,5mohm @ 9,5a, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	800 мВ @ 400 мк

P-KANAL 12-8,2A (TA) 1,05-yt (ta) poverхnoStnoe