Vishay Siliconix SI7252ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI7252ADP-T1-GE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В (DS) МОСФЕ

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI7252ADP-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7348
  • Артикул: SI7252ADP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6400

Дополнительная цена:$1,6400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9,3 А (Та), 28,7 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 18,6 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26,5 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1266пФ при 50 В
Мощность - Макс. 3,6 Вт (Та), 33,8 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи PowerPAK® SO-8 двойной
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8 двойной
Базовый номер продукта СИ7252
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SI7252ADP-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 100 В, 9,3 А (Ta), 28,7 А (Tc), 3,6 Вт (Ta), 33,8 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8 Dual