Vishay Siliconix SI7615BDN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI7615BDN-T1-GE3

МОП-транзистор П-СН 20 В 29 А/104 А ППАК

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI7615BDN-T1-GE3
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4392
  • Артикул: SI7615BDN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Производство постоянно в Digi-Key
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29А (Та), 104А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 155 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±12 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4890 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 5,2 Вт (Та), 66 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта СИ7615
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
P-канал 20 В 29 А (Ta), 104 А (Tc) 5,2 Вт (Ta), 66 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа