Vishay Siliconix SIA4265EDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIA4265EDJ-T1-GE3

П-КАНАЛЬНЫЙ 20-В (ДС) МОП-транзистор POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIA4265EDJ-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6
  • Артикул: SIA4265EDJ-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4200

Дополнительная цена:$0,4200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,8 А (Та), 9 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 1,8 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 32 мОм при 4 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 НК при 8 В
ВГС (Макс) ±8 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1180 пФ при 0 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,9 Вт (Та), 15,6 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SC-70-6
Пакет/ключи PowerPAK® SC-70-6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIA4265EDJ-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
P-канал 20 В 7,8 А (Ta), 9 А (Tc) 2,9 Вт (Ta), 15,6 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SC-70-6