Vishay Siliconix SIDR170DP-T1-RE3 — Vishay Siliconix FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIDR170DP-T1-RE3

Vishay Siliconix SIDR170DP-T1-RE3

МОП-транзистор Н-Ч 100 В 23,2 А/95 А ППАК

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIDR170DP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4
  • Артикул: SIDR170DP-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $2.5800

Дополнительная цена:$2.5800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23,2А (Та), 95А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 140 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6195 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 6,25 (Та), 125 Вт (Тс) Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8DC
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИДР170
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIDR170DP-T1-RE3TR
Стандартный пакет 3000
N-канальный 100 В 23,2 А (Ta), 95 А (Tc) 6,25 Вт (Ta), 125 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8DC для поверхностного монтажа

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.