Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-RE3

Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-RE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30-В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIDR392DP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: SIDR392DP-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $3.0200

Дополнительная цена:$3.0200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 82А (Та), 100А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 0,62 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 188 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20 В, -16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9530 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 6,25 (Та), 125 Вт (Тс) Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8DC
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIDR392DP-T1-RE3CT
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 30 В 82 А (Ta), 100 А (Tc) 6,25 Вт (Ta), 125 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8DC для поверхностного монтажа

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.