Vishay Siliconix SIDR578EP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIDR578EP-T1-RE3

Vishay Siliconix SIDR578EP-T1-RE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 150 В (DS) 175C MOSFE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIDR578EP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5255
  • Артикул: SIDR578EP-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $2,9500

Дополнительная цена:$2,9500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen V
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 17,4А (Та), 78А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,8 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2540 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 7,5 Вт (Та), 150 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8DC
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИДР578
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 150 В 17,4 А (Ta), 78 А (Tc) 7,5 Вт (Ta), 150 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8DC для поверхностного монтажа

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.