Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-RE3

N-kanol 200-V (ds) mosfet

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-RE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 7049
Sku: SIDR610DP-T1-RE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $2.5200

Эkst цena:$2.5200

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	200
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	8.9A (TA), 39,6A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	7,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	31.9mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	38 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	1380 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	6,25 yt (ta), 125w (TC)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® SO-8DC
PakeT / KORPUES	PowerPak® SO-8
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 200- 8,9a (ta), 39,6a (Tc) 6,25 st (ta), 125 Вт (Tc) poverхnoStnoE