Vishay Siliconix SIDR610EP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIDR610EP-T1-RE3

Н-КАНАЛЬНОЕ 200 В (DS) 175C MOSFE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIDR610EP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4824
  • Артикул: SIDR610EP-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.7500

Дополнительная цена:$3.7500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8,9 А (Та), 39,6 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 31,9 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1380 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 7,5 Вт (Та), 150 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8DC
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИДР610
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канальный 200 В 8,9 А (Ta), 39,6 А (Tc) 7,5 Вт (Ta), 150 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8DC для поверхностного монтажа