Vishay Siliconix SIHA12N50E-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SIHA12N50E-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 500В

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHA12N50E-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 950
  • Артикул: SIHA12N50E-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8700

Дополнительная цена:$1,8700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10,5 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 380 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 886 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 32 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-220 Полный пакет
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIHA12N50E-GE3TR
Стандартный пакет 1000
Н-канал 500 В 10,5 А (Tc) 32 Вт (Tc) сквозное отверстие ТО-220, полный комплект