Vishay Siliconix SIHB15N80AE-GE3
МОП-транзистор Н-Ч 800В 13А Д2ПАК
- Производитель: Вишай Силиконикс
- Номер производителя: Vishay Siliconix SIHB15N80AE-GE3
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация:-
- Запас: 990
- Артикул: SIHB15N80AE-GE3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1093 пФ при 100 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 156 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Д²ПАК (ТО-263) |
| Пакет/ключи | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ |
| Базовый номер продукта | SIHB15 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 742-SIHB15N80AE-GE3 |
| Стандартный пакет | 50 |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | Э |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 800 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 350 мОм при 7,5 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 53 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±30 В |
N-канальный 800 В 13 А (Tc) 156 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740