Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 650В

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 385
  • Артикул: SIHB24N65EFT1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.0100

Дополнительная цена:$6.0100

Подробности

Теги

Параметры
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 156 мОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 122 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2774 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 250 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263 (Д²Пак)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIHB24N65EFT1-GE3TR
Стандартный пакет 800
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Э
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24А (Тс)
N-канальный 650 В 24 А (Tc) 250 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-263 (D²Pak)